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移动电子产品的一些功能和系统运行模式越来越完善，同时也越来越复杂。很多小伙伴都很困惑。最近，UFS 20和UFS 21有什么不同？IT之家将带你阅读的消息也引起了很多人的关注。现在大家都想知道UFS 20和UFS 21有什么区别？为此，IT之家会带你去读IT。

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今年4月，IT之家在UFS/eMMC/LPDDR等不同存储介质上进行了科普。随着UFS的流行，大多数人可能更关心UFS 2.0和UFS 2.1的具体区别。下面就带IT之家的读者一起来了解一下。

2013年9月，JEDEC发布了UFS 2.0的闪存存储标准，其特点是串行数据传输、全双工模式和指令队列支持。与EMMC分别读写的半双工模式相比，UFS的全双工模式意味着读写可以同时进行。指令队列的增加意味着在完成前一条指令之前不再需要提交每一条指令，就像EMMC5.1之前的版本一样。

UFS 2.0闪存读写速度的强制标准为HS-G2(高速GEAR2)，可选标准为HS-G3。HS-G2 1Lane的最大读写速度为2.9Gbps(约360MB/s)，2Lane的最大读写速度为5.8Gbps(约725MB/s)。可选HS-G3 1Lane的最大读写速度为5.8Gbps(约725MB/s)，2Lane的最大读写速度为11.6Gbps(约1.45GB/s)。HS-G2 1Lane相比EMMC5.1在读写速度上没有明显优势，相应的商用产品也不多见。

UFS系统模型

2016年3月，JEDEC发布了UFS 2.1的闪存存储标准。与UFS2.0相比，速度标准没有变化，仍然是强制标准HS-G2和可选标准HS-G3。改进主要分为三个部分：设备健康(包括预防性维护)、性能优化(包括指令优先级和固件升级)和安全防护。设备健康信息包括剩余的保留块和设备的使用寿命信息。指令优先级允许为紧急任务分配更高的优先级，而安全保护支持操作系统和应用程序级别的细粒度写保护(包括UFS控制器的硬件级加密)。

UFS2.1/UFS2.0采用相同的费率标准。

uf 2.1(jesd 220 c)/ufs 2.0(jesd 220 b)差异

对于闪存厂商来说，因为UFS2.0已经推出了对应版本的HS-G32Lane，所以UFS2.1选择更低的标准意义不大。所以市面上的UFS2.1都采用可选的HS-G32Lane标准，即最高读写速率为11.6Gbps

需要提醒的是，部分手机厂商更倾向于宣传HS-G3 2Lane的双读写速度(11.6Gbps，接近1.5GB/s)，并将其作为‘ufs 2.1’的事实标准。以三星S8和华为Mate9使用的东芝UFS2.0闪存为例。产品型号THGBF7G9L4LBATR采用HS-G3 2Lane标准，最高读写速率为1166MB/s，与三星S8使用的最高读写速率的东芝UFS2.1闪存THGAF4G9N4LBAIR没有区别。而后者得益于全新的产品，其顺序阅读、顺序书写、随机阅读和随机书写分别比前者快40%、16%、120%和80%。